制造半导体器件的方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.8.30 JP 262356/2001
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
发明 (设计)人：山崎舜平
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：王岳;梁永
摘要
　本发明的一个目的是提供一种通过控制晶体取向，形成其取向均匀的结晶半导体薄膜的技术，以及获得在其中杂质浓度得到减少的结晶半导体薄膜的技术。本发明的结构是第一半导体区域在可见光区域具有透明特性的衬底上形成，势垒薄膜在第一半导体区域上形成，覆盖第一半导体区域顶表面和侧表面的热量保持膜穿过势垒薄膜而形成，第一半导体区域利用连续波激光光束从第一半导体区域的一个边缘穿过衬底向另一个边缘的扫描而晶化，消除保温薄膜和势垒薄膜，然后，通过蚀刻第一半导体区域形成TFT活性层的第二半导体区域。采用这样的方式，即为了载流子的平滑漂移，激光光束的扫描方向和TFT的沟道长度方向被安排在几乎相同的方向上，来形成由蚀刻形成的第二半导体区域的一种图案。
主权项
　权利要求书 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一半导体区域；形成一个覆盖第一半导体区域的势垒薄膜；形成一个穿过势垒薄膜覆盖第一半导体区域顶表面和侧表面的保温薄膜；通过连续波激光光束从第一半导体区域的一个边缘穿过衬底向另一个边缘的扫描，晶体化第一半导体区域；消除保温薄膜和势垒薄膜；以及采用这样的方式，即激光光束的扫描方向和薄膜晶体管沟道长度的方向安排在相同的方向上，蚀刻第一半导体区域，以形成第二半导体区域。

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