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分 类 号：
H01L21/205;C23C16/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.4 JP 266669/2001;2002.2.21 JP 044173/2002
申请(专利权)人：
日本派欧尼株式会社
地 址：
日本国东京都
发 明 (设计)人：
高松勇吉;米山岳夫;岩田充弘;桐山晃二
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京三幸商标专利事务所
代 理 人：
刘激扬
摘要
一种气化供给方法，是用液体流量控制器控制液体CVD原料的流量供给到气化器，气化后供给到半导体制造装置中的方法并联设置多个液体流量控制器，最好并联设置可控制的流量范围不同的两种以上液体流量控制器，在液体CVD原料的气化供给中，通过单独使用和同时使用多个液体流量控制器的变更和/或互相切换液体流量控制器来改变液体CVD原料的流量，供给到气化器。由于高精度地控制液体CVD原料的流量气化供给至半导体制造装置，可以得到膜厚精度极高的半导体薄膜。
主权项
权利要求书
1.一种气化供给方法，是用液体流量控制器控制液体CVD
原料的流量供给到气化器，气化后供给到半导体制造装置中的方
法，其特征是对于同种类的液体CVD原料，并联设置多个液体
流量控制器，在液体CVD原料的气化供给中，通过单独使用和
同时使用多个液体流量控制器，及/或互相切换液体流量控制器
来改变液体CVD原料的流量，供给到气化器。
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