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分 类 号：
H01L21/335;H01L29/772
颁 证 日：
优 先 权：
2001.6.18 JP 182686/2001
申请(专利权)人：
三洋电机株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
浅野哲郎;榊原干人
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
杨梧;马高平
摘要
一种化合物半导体装置的制造方法。在化合物半导体装置中，在底座电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和氮化膜坚硬，接合时氮化膜易开裂。本发明在底座电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去底座电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。可以提供能缩小各底座和配电层的间隔距离，实现芯片缩小的制造方法。
主权项
权利要求书
1、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序，
在附着形成栅极的栅格金属层以前，在预定的底座区域下的半导体基板
表面形成高浓度区域的工序；
在所述高浓度区域上，附着所述栅格金属层，形成第一底座电极的工序；
在所述第一底座电极上，附着底座金属层，形成第二底座电极的工序；
在所述第二底座电极上压装接合线的工序。
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