程序化及抹除P型信道SONOS记忆单元的操作方法<%=id%>

分类号： H01L21/70;H01L27/112;G11C11/34
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发明 (设计)人：林宏穗;赖汉昭;邹年凯;卢道政
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京集佳专利商标事务所
代理人：王学强
摘要
　本发明是有关于一种P信道SONOS内存元件的程序化及抹除操作方法，该内存元件在一基底上具有一电荷捕捉层、一位于电荷捕捉层上的栅极层、两个位于电荷捕捉层两侧的基底中的掺杂区。这两个掺杂区分别被设定为漏极区与源极区。当要进行程序化动作时，对栅极与漏极区施加第一负偏压，并将源极区与基底接地。当要进行抹除动作时，对栅极施加第二负偏压，同时对漏极区施加第三负偏压并将基底接地，其中第三负偏压的绝对值大于第二负偏压的绝对值。
主权项
　权利要求书 1.一种程序化及抹除P信道基底-氧化硅/氮化硅/氧化硅-硅 (SONOS)记忆单元的操作方法，其中该SONOS记忆单元包括有一基底、一位于该基底上的ONO层、一栅极层以及位于该ONO层两侧的该基底中的两个掺杂区，其特征为：该操作方法包括：将两个掺杂区其中之一指定为漏极区，而另一个为源极区；当要进行程序化动作时，将热电洞局部地注入至该ONO层中靠近该漏极区的一第一区域；以及当要进行抹除动作时，将热电子局部注入至该ONO层中靠近该漏极区处，将热电洞消除。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明