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颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.23 US 09/934548
申请(专利权)人：
惠普公司
地 址：
美国加利福尼亚州
发 明 (设计)人：
·梅;小J·R·伊顿
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
傅康;梁永
摘要
一种存储器件包含薄膜晶体管存储单元的存储器阵列。存储单元包括被绝缘体分隔于栅线的栅电极部分的浮栅。栅电极部分包括在施加写入电压时通过绝缘体扩散的扩散性导体。扩散性导体形成通过绝缘体的导电路径，使栅线耦合到浮栅，改变了栅电容因而也是存储单元的状态。存储单元是三端器件，读出电流在读出过程中不通过存储单元中的导电路径(CP)。由于读出电流不干扰存储单元中的存储机制，故使存储单元变得坚固耐用。可以用使用同一个掩模的多个步骤来制造存储器阵列。
主权项
权利要求书
1.一种对包含多个三端存储单元(200，400)的存储器阵列(100)
进行写入的方法，此方法包含：
将写入电压施加到被选择的存储单元(200，400)，此写入电压
使导电元素通过被选择的存储单元(200，400)扩散，并改变存储单
元(200，400)的电容。
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