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分 类 号：
H01L27/105
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发 明 (设计)人：
范左鸿;卢道政;蔡文哲
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京集佳专利商标事务所
代 理 人：
王学强
摘要
本发明是有关于一种非挥发性内存的结构，包含一基底、一堆栈栅结构以及一源/漏极区。其中，堆栈栅结构位于基底上，源/漏极区位于堆栈栅结构两侧的基底中，且基底内有一垂直阶梯信道掺杂轮廓。此垂直阶梯信道掺杂轮廓分为基底表面下的第一掺杂区，以及位于第一掺杂区下且紧临第一掺杂区的第二掺杂区，其中第二掺杂区的浓度高于第一掺杂区。
主权项
权利要求书
1.一种非挥发性内存的结构，其特征为：包括：
一基底，该基底中具有一垂直阶梯式信道掺杂轮廓，该垂直阶梯
式信道掺杂轮廓分为位于该基底表面下的一第一掺杂区，以及位于该
第一掺杂区下且紧临该第一掺杂区的一第二掺杂区，其中该第二掺杂
区的掺杂浓度高于该第一掺杂区；
一堆栈栅结构，位于该基底上；
一源/漏极区，位于该堆栈栅结构两侧的该基底中。
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