|
|
|
|
|
|
|
|
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发 明 (设计)人：
张耀文;卢道政
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京集佳专利商标事务所
代 理 人：
王学强
摘要
一种垂直式的氮化物只读存储单元，其结构包括具有沟渠的基底、具有覆盖基底的水平部分以及嵌在沟渠中一端与水平部分邻接的垂直部分的栅极、位于栅极与基底之间的捕捉层、位于栅极垂直部分的另一端的基底中的第一源极/漏极区、以及位于沟渠边缘的基底中且与栅极的垂直部分以及水平部分连接的第二源极/漏极区。
主权项
权利要求书
1.一种垂直式的氮化物只读存储单元，其特征在于：包括：
一基底，该基底中有一沟渠；
一栅极，该栅极包括一水平部分与一垂直部分，该水平部分覆盖
在基底上，该垂直部分嵌入沟渠中而且一端与该水平部分邻接；
一捕捉层，位于栅极与基底之间；
一第一源极/漏极区，位于该垂直部分另一端的基底中；
一第二源极/漏极区，位于该沟渠边缘的基底中，且与该垂直部
分及该水平部分连接。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
