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分 类 号：
H01P1/201;H01P1/203
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.27 JP 2001－255,685
申请(专利权)人：
松下电器产业株式会社
地 址：
日本国大阪府
发 明 (设计)人：
山川岳彦;山田彻;石崎俊雄
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
钱慰民
摘要
一种RF器件，它包括第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且连接着所述高频电路，以及所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。
主权项
权利要求书
1.一种RF器件，其特征在于，它包括：
第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成
高频电路；以及
第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，
其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，
且连接着所述高频电路，以及
所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。
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