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br>分 类 号：
H01S5/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.31 JP 2001－262663
申请(专利权)人：
三井化学株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
藤本毅;室清文;小矶武
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京银龙专利代理有限公司
代 理 人：
吴邦基
摘要
本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
主权项
权利要求书
1.半导体激光元件，在活性层的至少一侧设具有活性层禁带宽度以
上的禁带宽度的光波导层，在光波导层外侧设具有光波导层禁带宽度以
上的禁带宽度的包层，在光波导层或光波导层和包层之间，设经选择成
长埋入的、具有带状窗的折射率控制层的实际折射率波导型半导体激光
元件中，其特征在于，
对于埋入的折射率控制层设先行选择成长的半导体层，
作为上述半导体层的材料，选择使得包含半导体层和折射率控制层的
叠层部分中半导体层的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率
控制层的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小那样的材料。
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