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日：
优 先 权：
2001.8.24 JP 255262/2001
申请(专利权)人：
株式会社半导体能源研究所
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
濑尾哲史;今井馨太郎
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
郑立柱;梁永
摘要
提供了一种用于提高从发光元件中阴极注入电子的能力并解决其制作过程中有关问题的装置。在本发明中，采用比阴极材料具有较小逸出功的材料来形成阴极与有机化合物层之间的无机导电层。以此方式，可以提高从阴极注入电子的能力。另外，其薄膜可以比采用绝缘材料形成的传统阴极缓冲层的薄膜更厚。因此，可以容易地控制膜厚，并且可以实现制作成本的降低和生产率的提高。
主权项
权利要求书
1.一种发光装置，包括：
一阳极；
一阴极；
一有机化合物层，设在所述阳极与所述阴极之间；和
一导电膜，含有设在所述有机化合物层与所述阴极之间的无机化合
物，
其中所述导电膜含有比所述阴极具有较小逸出功并且具有1×10-10
S/m以上电导率的材料。
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