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分 类 号：
G11C15/04;G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11
颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.3 CA 2,299,991
申请(专利权)人：
睦塞德技术公司
地 址：
加拿大安大略省
发 明 (设计)人：
里卡德·福斯;科马克·奥康奈尔
国 际 申 请：
CT/CA01/00273 2001.3.5
国 际 公 布：
WO01/65565 英 2001.9.7
进入国家日期：
2002.09.03
专利 代理 机构：
中科专利商标代理有限责任公司
代 理 人：
龚海军
摘要
一种存储器单元，包括：一反向级；一耦合在一数据线和反向级的输入端之间的存取晶体管，该存取晶体管与控制信号相对应，用于有选择地耦合数据线和反向级的输入；一耦合在反向级输入端并与反向级的输出端相对应的反馈部件，用于在第一逻辑状态下锁定反向级，从而利用流经存取晶体管的、大于流经反馈晶体管的电流的泄漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。
主权项
权利要求书
1、一种存储器单元，包括：
(a)具有一输入节点和一输出节点的CMOS反向级；
(b)一耦合在一位线和所述反向层级的输入节点之间的存取晶体管，
用于根据沿控制线接收的控制信号有选择地把所述位线耦合到所述反向级
的输入节点；
(c)一耦合在所述反向级输入节点和一供电导线之间的反馈部件，
用于根据所述反向层级的输入节点处的信号、在第一逻辑状态下锁定所述
反向级，从而利用流经所述存取晶体管的、大于流经所述反馈晶体管的电
流的漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。
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