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颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.15 US 09/461,247
申请(专利权)人：
JDS尤尼费斯公司
地 址：
美国加利福尼亚
发 明 (设计)人：
阿伦·B·考恩;维加库玛·R·度勒
国 际 申 请：
CT/IB00/02051 2000.11.28
国 际 公 布：
WO01/45120 英 2001.6.21
进入国家日期：
2001.08.15
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
李德山
摘要
提供一种有低损耗和相应的高Q值的可变电容器。除了基片外，该可变电容器包括配置在该基片上的至少一个基片电极和一基片电容器板，它们由低电阻材料如HTS材料或厚金属层形成。可变电容器还包括一双晶构件，它由基片向外延伸并覆盖在至少一个基片电极之上。双晶构件包括由具有不同热膨胀系数的材料形成的第一和第二层。双晶构件的第一和第二层限定至少一个双晶电极和双晶电容器板，使得在基片电极和双晶电极间建立的电压差能使双晶构件相对于基片电极移动，从而改变极间距离和电容器板间的距离。因此，可变电容器的电容量可根据双晶构件及其下面的基片间的相对间距而控制。还提供一种方法以微细加工或者用别的方式制造一可变电容器，其电极和电容器板由低电阻材料形成，使所得的电容器有低损耗和相应的高Q值。该可变电容器因此可用于高频应用，例如某些可调谐滤波器所需要的。
主权项
权利要求书
1.一种微电子机械系统(MEMS)的可变电容器，包括：
一基片；
至少一个配置在所述基片上的基片电极，所述至少一个基片电极
包括低电阻材料；以及
一双晶构件，从所述基片向外延伸并覆盖在至少一个基片电极之
上，所述双晶构件包括由具有不同热膨涨系数的材料形成的第一和第
二层，所述双晶构件包括至少一个双晶电极，使得在所述至少一个基
片电极和所述至少一个双晶电极之间建立的电压差进一步使所述双晶
构件相对于所述至少一个基片电极移动，从而改变电极间的间距。
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