多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司
地址：日本东京
发明 (设计)人：小川哲也;时冈秀忠;西前顺一;冈本达树
国际申请： CT/JP00/07010 2000.10.6
国际公布： WO02/31871 日 2002.4.18
进入国家日期： 2002.06.06
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
摘要
　一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
主权项
　权利要求书 1.一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤；在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤：在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、 640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b) 相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、 640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。

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