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颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.7 US 60/169,382
申请(专利权)人：
卡伯特微电子公司
地 址：
美国伊利诺伊州
发 明 (设计)人：
王淑敏;霍马·乔
国 际 申 请：
CT/US00/42522 2000.12.1
国 际 公 布：
WO01/41973 英 2001.6.14
进入国家日期：
2002.06.07
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
赵仁临;张平元
摘要
本发明提供一种用于化学-机械抛光一种包含钽及一种导电性金属(钽除外)的基体的方法。该方法包含(a)施加至该基体一种导电性金属-选择性抛光组合物及一种金属氧化物研磨剂，(b)自该基体选择性移除与该钽比较至少一部分该导电性金属，(c)施加至该基体一种钽-选择性抛光组合物及一种金属氧化物研磨剂，及(d)自该基体移除与该导电金属比较至少一部分该钽。在一个实施方案中，该导电性金属-选择性抛光组合物是任何此类抛光组合物，及该钽-选择性抛光组合物包含一种过硫酸盐化合物及一种该导电性金属的钝化膜-生成剂。在另一个实施方案中，该导电性金属-选择性抛光组合物包含一种过硫酸盐化合物及任选的一种该导电性金属的钝化膜-生成剂，及诸如以上所述可以调节该导电性金属-选择性抛光组合物或该抛光方法以使该导电性金属-选择性抛光组合物成为一种钽-选择性抛光组合物。
主权项
权利要求书
1.一种化学-机械抛光一种包含钽及除钽以外的导电性金属的基体的
方法，该方法包含：
(a)施加至该基体一种导电性金属-选择性抛光组合物及一种金属氧化
物研磨剂，
(b)自该基体选择性移除与该钽比较至少一部分该导电性金属，
(c)施加至该基体(i)一种包含一种过硫酸盐及一种该导电性金属的钝化
膜-生成剂的钽-选择性抛光组合物及(ii)一种金属氧化物研磨剂，及
(d)自该基体选择性移除与该导电金属比较，至少一部分该钽。
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