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颁 证 日：
优 先 权：
1999.10.20 GB 9924833.8
申请(专利权)人：
英国技术集团国际有限公司
地 址：
英国伦敦
发 明 (设计)人：
·L·W·查普曼
国 际 申 请：
CT/GB00/03905 2000.10.11
国 际 公 布：
WO01/29570 英 2001.4.26
进入国家日期：
2002.06.17
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
杨凯;张志醒
摘要
一种设计包括用于产生和修改磁场的永磁材料的结构的通用方法。这种方法采用表面上容许的谐波模式的有限集。特别是，这种方法可以应用在结构是有限的和开放的、不可能获得精确解的情况。该方法根据研究区(ROI)中可能获得的磁场和所需磁场之间的偏差的最小二乘方极小化确定最佳分布。这种方法也可以用于通过在ROI附近分布磁性材料来以无源的方式改善现有磁场的均匀性。
主权项
权利要求书
1.一种设计用于在研究区(ROI)产生所需磁场的永磁结构的方
法，所述方法包括：
--设定永磁体结构的尺寸；
--设定在所述结构的表面上关于单位磁化幅度的空间频率谐波有
限集的每一成分的磁性材料的假想分布；
--从所述集的每一成分计算ROI中的磁场；
--用最小二乘方法计算所述谐波的幅度，以便获得ROI区中所需
磁场的最佳近似；
--按照所述最佳谐波幅度确定所述谐波各成分的比例；
--通过将所述定标后的各成分相加，建立磁性材料的所需分布，
以产生所需的磁场。
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