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于EEPROM擦除期间可增进可靠度的减少定电场的方法<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.17 US 60/172,327;2000.1.24 US 09/490,351
申请(专利权)人：
先进微装置公司
地 址：
美国加利福尼亚州
发 明 (设计)人：
克莱文德·李
国 际 申 请：
CT/US00/33044 2000.12.5
国 际 公 布：
WO01/45113 英 2001.6.21
进入国家日期：
2002.06.17
专利 代理 机构：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代 理 人：
戈泊;程伟
摘要
本发明提供一种于多重内存单元组成的内存装置擦除期间，减少峰值电场的方法。于擦除期间，本内存单元的电场Efield是由方程式Efield～ag(Vgate-Vth+Vtuv)+(as-1)Vsource所决定的，以及变化栅极电压Vgate施加到擦除的存储单元的栅极以致在擦除过程期间Vgate-Vth是固定的。
主权项
权利要求书
1.一种用于擦除多个存储单元组成的内存装置中的存储单元的方
法，每一存储单元具有源极和控制栅极，其中电场Efield是由方程式
Efield～ag(Vgate-Vth+Vtuv)+(as-1)Vsouce所决定，此方法包含：
的，
a)在欲擦除的存储单元上执行紫外线擦除以产生紫外线擦除门限
电压，Vtuv；并且因此
b)施加电压Vsource到欲擦除的存储单元的源极；以及
c)施加变化电压Vgate到欲擦除存储单元的控制栅极，其中，于擦
除过程中，Vgate-Vth是固定的；
其中，在擦除过程中，该方法用来降低峰值电场。
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