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    具有同心环形板阵列的用于深亚微型CMOS的多层电容器结构<%=id%>


    分 类 号: H01L29/92;H01L27/08
    颁 证 日:
    优 先 权: 2000.4.4 US 09/542712
    申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
    地 址: 荷兰艾恩德霍芬
    发 明 (设计)人: V·瓦图尔亚;T·索拉蒂
    国 际 申 请: CT/EP01/03634 2001.3.28
    国 际 公 布: WO01/75983 英 2001.10.11
    进入国家日期: 2001.11.30
    专利 代理 机构: 中国专利代理(香港)有限公司
    代 理 人: 王岳;梁永
    摘要
      一种电容器结构(20)包括第一和至少第二同心环形导线(22-25)的导体级(L1-L4)。所述第一和至少第二级的导线被排列成同心的环形堆叠体。介电材料(26-29)被设置在第一和第二导体级之间以及每个级的同心导线之间。至少一个导电通路(32)电连接每个堆叠体中的导线,借以形成电容器板的同心阵列。所述电容器板的同心阵列以交替的方式和相反极性的第一、第二端子电连接,从而在阵列的相邻的板之间产生电容。所述电容器结构尤其适用于深亚微CMOS。
    主权项
      权利要求书 1.一种电容器(20),包括: 同心导线(22)的第一导体级(L1); 同心导线(23)的至少第二导体级(L2),所述第一级和所述至 少第二级(L1,L2)的导线(22,23)被设置成同心的堆叠体; 被设置在所述第一和第二导体级(L1,L2)之间以及每个级(L1, L2)的同心导线(22,23)之间的介电材料(27,28); 至少一个电连接每个堆叠体中的导线(22,23)的导电通路(32), 借以形成同心的电容器板(27A,27B)的阵列,每个导电通路(32) 通过在第一和第二导体级(L1,L2)之间的介电材料(27)延伸;以 及 具有相反电极性的第一和第二端子(A,B), 其中同心的电容器板(27A,27B)的阵列以交替的方式和相反极 性的端子(A,B)电连接,从而在所述阵列的相邻的板之间产生电容。
         

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