制造具有发光转换元件的发光半导体的方法<%=id%>

分类号： H01L33/00
颁证日：
优先权： 2000.3.3 DE 10010638.2
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
地址：德国雷根斯堡
发明 (设计)人： G·博格纳;A·德布雷;G·韦特尔
国际申请： CT/DE01/00798 2001.3.2
国际公布： WO01/65613 德 2001.9.7
进入国家日期： 2002.09.03
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：胡强;赵辛
摘要
　本发明描述两种用于制造半导体元件的方法，其中发光转换元件直接被涂覆在半导体(1)上。在第一种方法中，含增附剂和至少一种荧光材料(5)的悬浮液(4)成层状地被涂覆在半导体(1)上。在下个步骤中，使溶剂逸出并由此使得在半导体上只留下含增附剂的荧光材料(5)。在第二种方法中，半导体(1)配备有增附剂层(6)，在增附剂层上直接涂覆荧光材料(5)。
主权项
　权利要求书 1.用于制造发光半导体元件的方法，该半导体元件包括一个装在衬底(2)上的且电接通的半导体(1)和一个发光转换元件，该发光转换元件具有至少一种荧光材料(5)并且被涂覆在半导体(1)上，其特征在于，它具有以下步骤： —制造半导体(1)并将其装到衬底(2)上并电接通，一成层状地将悬浮液(4)涂覆到半导体(1)的至少一个表面上，悬浮液作为溶剂地含有丁基醋酸盐并在悬浮液中加入至少一种增附剂和所述的至少一种荧光材料(5)， —烘干该半导体元件，其中荧光材料(5)基本上保留在半导体(1 )上。

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