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证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
飞赫科技股份有限公司
地 址：
中国台湾
发 明 (设计)人：
杨明勋;杨长谋
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
隆天国际专利商标代理有限公司
代 理 人：
陈红;潘培坤
摘要
一种压电式喷墨晶片的成型方法，包括在硅基板的两面形成蚀刻保护层，取其中一层作为蚀刻的终止层，而取其另外一层再利用光阻曝光显影步骤在表面形成蚀刻遮罩，并利用湿蚀刻或干式蚀刻工艺在该遮罩上形成墨水腔形状和/或墨水流道的开口；利用此遮罩先在该硅基板上进行初步蚀刻；完成上述初步蚀刻后，再利用电化学蚀刻工艺继续加工，可快速地形成壁面基本垂直于硅基板表面的墨水腔及墨水流道。当上述步骤完成时，在所得到硅基板上顺次覆加振动板、下电极、压电层及上电极；最后在该硅基板的另一面覆加喷孔片，使该喷孔片上的喷孔一一对准墨水腔后，将之黏合形成压电式喷墨晶片。
主权项
权利要求书
1.一种压电式喷墨晶片的成型方法，至少包括下列步骤：
a.在硅基板的两表面分别覆加第一保护层及第二保护层；
b.在该第一保护层上形成开口，露出该开口下方的硅基板表面；
c.将该硅基板置入电化学蚀刻槽，利用电化学蚀刻方法形成壁面基
本垂直于硅基板表面的墨水腔和壁面基本垂直于硅基板表面的墨水流道；
d.在第二保护层上顺次至少覆加振动板、下电极层、压电层及上电
极层；及
e.在第一保护层上覆加喷孔片，该喷孔片上设有与该墨水腔的位置
相对应的喷孔。
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