减小场发射阴极三极管中门栅电极截获电流的方法<%=id%>

分类号： H01J9/02
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：东南大学
地址： 210096江苏省南京市四牌楼二号
发明 (设计)人：张小兵;雷威
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：南京经纬专利代理有限责任公司
代理人：沈廉
摘要
　一种减小场发射阴极三极管中门栅电极截获电流的方法，涉及场发射器件，特别是对远门栅电极的场发射阴极三极管为提高阳极电流，减小门栅电极对电流的截获而采用的方法。它包括制作在阴极电极1上的微尖电子发射体2、一块控制微尖发射场强的带有电子引出孔的门栅电极3和将具有比门栅电极电位更高使电子从门栅电极抽出并加速的阳极4，其特征是在门栅电极3上，有为减小门栅电极3电流截获的介质层8，微尖电子发射体2上发射的电子，有部分轰击到门栅电极3的介质层8上而产生二次电子发射，在门栅电极3和阳极电位的共同作用下，产生的二次电子通过在介质层8表面的跳跃向阳极4方向运动，并达到阳极4，应用这种技术，可以降低门栅电极对阴极发射电子的截获，同时可以提高器件的可靠性。
主权项
　权利要求书 1、一种减小场发射阴极三极管中门栅电极截获电流的方法，它包括制作在阴极电极(1)上的微尖电子发射体(2)、一块控制微尖发射场强的带有电子引出孔的门栅电极(3)和将具有比门栅电极电位更高使电子从门栅电极抽出并加速的阳极(4)，其特征是在门栅电极(3)上，有为减小门栅电极(3)电流截获的介质层(8)，微尖电子发射体(2)上发射的电子，有部分轰击到门栅电极(3)的介质层(8)上而产生二次电子发射，在门栅电极(3)和阳极电位的共同作用下，产生的二次电子通过在介质层(8)表面的跳跃向阳极(4)方向运动，并达到阳极(4)。

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