包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法<%=id%>

分类号： H01L21/768;H01L21/31;H01L23/52
颁证日：
优先权： 2001.9.25 JP 291013/2001
申请(专利权)人：富士通株式会社
地址：日本神奈川
发明 (设计)人：福山俊一;大和田保;佐久间裕子
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
摘要
　在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。在通孔和布线沟槽中填充布线。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成有半导体元件的衬底表面上形成第一绝缘膜，并且衬底具有暴露在其一部分表面上的导电区域；在第一绝缘膜上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；在第三绝缘膜上形成第二层间绝缘膜；从第二层间绝缘膜的上表面到第三绝缘膜的上表面形成布线沟槽，从布线沟槽底部的一部分到第一绝缘膜的上表面形成通孔，其中，通孔配置在与导电区域一部分对应的位置，在相对于第三绝缘膜选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀形成布线沟槽；在相对于第二绝缘膜选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜；在通孔和布线沟槽中填充包含导电材料的布线。

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