|
|
|
|
|
|
|
|
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.1 US 09/682，628
申请(专利权)人：
联华电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹市
发 明 (设计)人：
陈锦扬
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京三友知识产权代理有限公司
代 理 人：
陈红
摘要
本发明提供一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的绝缘层上，其包含有：一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；一介电层，设于该硅导电层顶面；以及一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上；由于本发明利用硅材料作为下电极，所以可高温处理而于硅材料表面形成一品质较佳的介电层，以避免如金属-金属逆熔丝的介电层漏电流大的问题。此外，本发明利用金属材料作为上电极，因此可有效避免硅-硅逆熔丝具有高电阻值的问题。
主权项
权利要求书
1.一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的
绝缘层上，其特征是：该逆熔丝包含有：
一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；
一介电层，设于该硅导电层顶面；以及
一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
