半导体集成电路及其制造方法和制造装置<%=id%>

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颁证日：
优先权： 2001.9.25 JP 292278/2001
申请(专利权)人：夏普公司
地址：日本大阪市
发明 (设计)人：谏田诚
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;王忠忠
摘要
　在具备设置在储存镀液的电镀槽部上的阳极电极和与晶片的被镀覆面连接的阴极电极的半导体集成电路的制造装置中，还具备感应线圈和高频电源。而且，该半导体集成电路的制造装置由发生在上述感应线圈内的磁场和上述被镀覆面的电流而产生电磁力，用该电磁力一边使上述晶片振动，一边用电解镀覆法在该晶片上形成凸点电极。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体集成电路的制造装置，它是具备设置在储存镀液 (6)的电镀槽部(7)上的阳极(4)和与半导体衬底(11)的被镀覆面连接的阴极(5)，用电解镀覆法使电流流过设在上述镀液(6)中的半导体衬底(11)的上述被镀覆面，在该半导体衬底(11)上形成凸点电极(13)的半导体集成电路的制造装置(1)，其特征在于：当形成上述凸点电极(13)时，具备能使上述半导体衬底(11) 在上下方向振动的衬底振动装置(8)、(9)。

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