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薄膜基板、半导体器件、电路基板及其制造方法<%=id%> |
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分 类 号：
H01L23/12;H01L21/48;H01L21/50
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 297041/2001
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
横井哲哉
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市中咨律师事务所
代 理 人：
于静;陈海红
摘要
一种薄膜基板，具备：在将来要分离的区域的外周线上边具有切缝部分，装载半导体器件芯片的绝缘性薄片；在上述绝缘性薄片上边形成，横穿上述切缝部分，连接到上述半导体器件芯片的外部端子上的导电性图形。
主权项
权利要求书
1.一种薄膜基板，具备：在将来要分离的区域的外周线上边具有切
缝部分(#slit portion#)，装载半导体器件芯片的绝缘性薄片；
在上述绝缘性薄片上边形成，横穿上述切缝部分，连接到上述半导体器
件芯片的外部端子上的导电性图形。
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