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颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 2001－298533
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
山田敬;永野元;水島一郎;佐藤力
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
孙敬国
摘要
半导体装置具有：支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置，具有：
支持基片；
在上述支持基片上有块状结晶成长的块状成长层，具有在上述块状成长层
形成元件的第1元件形成面的块状元件区域；
在上述支持基片上有埋入绝缘膜和该埋入绝缘膜上的SOI层，具有在上述
SOI层形成元件的第2元件形成面的SOI元件区域；
位于上述块状元件区域和SOI元件区域的边界的边界层，
其特征是：上述第1元件形成面和第2元件形成面，位于大致相同高度。
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