半导体存储器件<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.9.25 JP 291681/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：伊藤孝;下田正喜;月川靖彦
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：王岳;叶恺东
摘要
　提供一种包括8个存储块的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：8个存储块(20a～20h)，在半导体衬底上分割成3行3列的9个区域中，除了中央区域(19)以外，配置在周围的区域(11～18)中；第1数据总线(22a)，在第1行的存储块组和第2行的存储块组之间将多个数据线直线延伸来构成；以及第2数据总线(22b)，在第2行的存储块组和第3行的存储块组之间将多个数据线直线延伸来构成；所述8个存储块由相邻配置在所述第1数据总线上的与所述第1数据总线连接的4个存储块(20a～20c、20e)、以及相邻配置在所述第2数据总线上的与所述第2数据总线连接的4个存储块20c、20f～20h组成。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体存储器件，包括： 8个存储块，在半导体衬底上分割成3行3列的9个区域中，除了中央区域以外，配置于周围的区域；第1数据总线，在第1行的存储块组和第2行的存储块组之间将多个数据线直线地延长来构成；以及第2数据总线，在第2行的存储块组和第3行的存储块组之间将多个数据线直线地延长来构成；其中，所述8个存储块由相邻配置在所述第1数据总线上的与所述第1 数据总线连接的4个存储块、以及相邻配置在所述第2数据总线上的与所述第 2数据总线连接的4个存储块构成。

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