相关文章  
  • 半导体存储器及其测试方法
  • 半导体存储器件
  • 半导体装置
  • 共享位线交叉点存储器阵列
  • 半导体器件及其制造方法
  • 半导体器件及其制造方法
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
  • 半导体集成电路
  • 半导体存储器件
  • 半导体装置
  •   推荐  
      科普之友首页   专利     科普      动物      植物        天文   考古   前沿科技
     您现在的位置在:  首页>>专利 >>专利推广

    纳米二氧化钛薄膜及其制造方法<%=id%>


    分 类 号: H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28
    颁 证 日:
    优 先 权:
    申请(专利权)人: 北京科技大学
    地 址: 100083北京市海淀区学院路30号
    发 明 (设计)人: 万发荣;龙毅
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 北京科大华谊专利代理事务所
    代 理 人: 刘月娥
    摘要
      本发明提供了一种纳米二氧化钛薄膜,其特征是由致密二氧化钛层(24)和多孔二氧化钛层(25)组成,且上述致密二氧化钛层(24)位于导电玻璃(1)的导电薄膜(11)和多孔二氧化钛层(25)之间。(1)为导电玻璃,(11)为导电薄膜,(24)为致密二氧化钛层,(25)为多孔二氧化钛层。其优点在于,纳米二氧化钛薄膜与基体能够牢固结合,比表面积可达1000以上。
    主权项
      权利要求书 1.一种纳米二氧化钛薄膜,其特征是由致密二氧化钛层(24)和多孔二氧 化钛层(25)组成,且致密二氧化钛层(24)位于导电玻璃(1)的导电 薄膜(11)和多孔二氧化钛层(25)之间。
         

          设为首页       |       加入收藏       |       广告服务       |       友情链接       |       版权申明      

    Copyriht 2007 - 2008 ©  科普之友 All right reserved