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电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法<%=id%> |
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分 类 号：
C04B35/515;C04B35/547;C04B35/622;C04B35/64
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
武汉理工大学
地 址：
430070湖北省武汉市武昌珞狮路122号
发 明 (设计)人：
陈文;徐庆;周静;张斗
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代 理 人：
张安国
摘要
一种电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法。其材料组成为Bi2Te3、 2Te3、 2Se3、 I3。将上述组成的各种成份按设定的比例混合后，采用陶瓷加工技术制备半导体陶瓷制冷材料。性能测试结果证明：可制备出与单晶半导体制冷材料性能相当的电子传导型(N型)半导体陶瓷制冷材料，其主要性能达到N型半导体陶瓷标准：塞贝克系数：225μV/K，电导率：910Ω-1·cm-1，热导率：14.0mW/cm·K，优值系数：3.30×10-3K-1。本发明制法简单，制造成本较低，可应用在科学研究、军事、工业生产、日常生活等众多领域，特别是在大规模集成线路、光敏器件、功率元件、高频晶体管、电子仪器等元件和设备的冷却方面具有较广泛的实用性。
主权项
权利要求书
1、一种电子传导型半导体陶瓷制冷材料，其特征在于该陶瓷制冷材料由重
量百分数为82％～92％Bi2Te3、4％～9％ 2Te3、4％～9％ 2Se3三项成份百分
数之和为100％的混合物，和该混合物重量0.1％～0.3％ I3的外加掺杂剂组成。
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