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由环氧化物衍生物制备3-羟基酯的方法<%=id%> |
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颁 证 日:
优 先 权:
2001.10.17 KR 63986/2001;2002.10.4 KR 60549/2002
申请(专利权)人:
三星电子株式会社
地 址:
韩国京畿道
发 明 (设计)人:
李秉鲁;张银珠;曹亨受;千柄顺
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
北京市柳沈律师事务所
代 理 人:
黄益芬;巫肖南
摘要
本申请公开了一种制备3-羟基酯的方法,包括:(a)通过使用由催化量的钴化合物和任选存在的有效量促进剂组成的催化剂体系,在50~3000 ig的压力下,在30-150℃温度下,在溶剂中使环氧化物衍生物与一氧化碳和醇反应,产生3-羟基酯或其衍生物;(b)在-30-200℃的温度下,在稳定气体气氛中,在反萃取柱中从钴化合物和促进剂中分离所得产物和溶剂;以及(c)将部分或全部分离的钴化合物和促进剂再循环到步骤(a)以及重复步骤(a)到(c)。
主权项
权利要求书
1.一种制备3-羟基酯的方法,包括:
(a)通过使用由催化量的钴化合物和任选存在的有效量促进剂组成的
催化剂体系,在50~3000 ig的压力下,在30-150℃温度下,在溶剂中
使环氧化物衍生物与一氧化碳和醇反应,产生3-羟基酯或其衍生物;
(b)在-30~200℃的温度下,在稳定气体气氛中,在反萃取柱中从钴
化合物和促进剂中分离所得产物和溶剂;以及
(c)将部分或全部分离的钴化合物和促进剂再循环到步骤(a)以及重复
步骤(a)到(c)。
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