聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料的制备方法<%=id%>

分类号： C08L79/08;C08K3/30;C08G73/10
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所
地址： 730000甘肃省兰州市城关区天水路342号
发明 (设计)人：刘维民;王廷梅;田军;薛群基
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：兰州中科华西专利代理有限公司
代理人：方晓佳
摘要
　本发明公开了一种聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法首先是单层二硫化钼分散在聚酰亚胺的聚合反应溶剂中，然后加入芳香二胺和芳香二酐生成聚酰胺酸，经过脱水环化生成聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料。本发明解决了二硫化钼在聚酰亚胺基体中的分散问题，得到了分散性很好的插层复合材料。本发明的材料在耐热材料、绝缘材料，粘合剂等方面存在着潜在的应用价值。
主权项
　权利要求书 1.一种聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料的制备方法，其特征在于按下列顺序步骤进行： (1)将插层二硫化钼1～100份加入到1～500份水中，分散均匀后，经分离、干燥，制得单层二硫化钼；然后分散在1～50 份 -二甲基乙酰胺， -二甲基甲酰胺或甲基吡咯烷酮中，加入1～50份芳香二胺，1～50份芳香二酐，在氮气保护下将体系温度调节到15～75℃聚合，搅拌1～10小时。 (2)产物在热水中沉降、过滤后，经100℃加热10～30分钟， 150℃加热10～60分钟，250℃加热30～180分钟后，得聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料。

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