|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
C23C28/00
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
矽统科技股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学园区
发 明 (设计)人：
林沧荣;黄昭元
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京三友知识产权代理有限公司
代 理 人：
李强
摘要
一种进行Ti/TiN薄膜沉积制程的工作平台，包括有：一物理气相沉积(physical vapor deposiTion，PVD)真空反应室；至少一金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposiTion，MOCVD)真空反应室；以及一无线电波波频(radio frequency，RF)处理反应室；其中RF处理反应室可以取代MOCVD真空反应室的等离子处理制程，以增加工作平台的产量。
主权项
权利要求书
1.一种沉积制程的工作平台，其特征是：包括有：
一物理气相沉积(physical vapor deposiTion，PVD)真空反应室；
至少一金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor
deposiTion，MOCVD)真空反应室；
一无线电波波频(radio frequency，RF)处理反应室。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
