用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料<%=id%>

分类号： G01R33/09;G11B5/39
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：清华大学
地址： 100084北京市100084-82信箱
发明 (设计)人：章晓中;朱丹丹;薛庆忠
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：李光松
摘要
　本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Co-C复合冷压靶材，在3Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Co-C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：60-100nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正磁阻效应可高达22％。Co-C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。
主权项
　权利要求书 1.一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料，其特征在于：所述Co-C薄膜是由C和Co构成的磁阻材料，其Co摩尔比含量为1- 70％。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明