场增强金属绝缘体-半导体/金属绝缘体-金属电子发射器<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.12 US 09/975296
申请(专利权)人：惠普公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： X·圣;H·比雷基 ·T·林
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：邹光新;梁永
摘要
　在基于金属绝缘体半导体或者金属绝缘体金属发射器的电子发射器中，场发射结构被包括在发射器结构内。这种场发射器可以包括一个导电基底和这个导电基底上形成的一个电子供给层。这个电子供给层，例如未掺杂多晶硅，具有一些突出部分，形成在它的表面上。可以控制突出部分的锐度和密度。在这个电子供给层和突出部分上面，可以形成一个绝缘体，从而包围这些突出部分。可以在这个绝缘体上形成一个顶部导电层。被包围的突出部分对真空中的杂质不那么敏感。
主权项
　权利要求书 1.一种场增强型MIS/MIM电子发射器装置(100，200，300)，包括：一个电子供给结构(110，120，210，220，310，320)；在所述电子供给结构(110，120，210，220，310，320)的顶部表面上形成的至少一个突出部分(130，230，330)；在所述电子供给结构和所述至少一个突出部分(130，230，330) 上面形成的一个绝缘体(140，240，340)；和在所述绝缘体上形成的一个顶部导电层(150，250，350)。

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