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分 类 号：
H01L21/304;H01L21/324
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.19 JP 322812/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
新城嘉昭;下别府祐三;手代木和雄
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
李强
摘要
本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件制造方法，该方法包括：
背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；
切片步骤，在所述背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬
底以制造半导体器件片；以及
研磨痕迹产生步骤，在所述背面研磨步骤与所述切片步骤之间，产
生沿不同于预定切片线方向的方向延伸的研磨痕迹，利用包括多个端铣
刀的研磨设备研磨半导体衬底的背面，产生所述研磨痕迹。
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