|
|
|
|
|
|
|
|
/70
颁 证 日：
优 先 权：
1994.6.13 JP 130232/1994
申请(专利权)人：
株式会社日立制作所
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
德永尚文;奥平定之;水谷巽;田子一农
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。
主权项
权利要求书
1.一种集成电路装置的制造方法，包括以下步骤：
(a)在晶片的第一主表面上形成包含氧化硅的第一绝缘膜，该
主表面具有图形化在先薄膜；
(b)在第一绝缘膜上形成包含第二绝缘膜的第一薄膜图形；
(c)在包括反应气体和惰性气体的混合气体环境下，通过离子
辅助刻蚀所述主表面，用所述第一薄膜图形图形化所述第一绝缘
膜，其中所述反应气体包含具有3个或多个碳原子的全氟化碳气体
以及混合气体环境中惰性气体成分不少于50％。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
