半导体试验装置、半导体装置的试验方法和制造方法<%=id%>

11C29/00
颁证日：
优先权： 2001.10.16 JP 317639/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：西村安正
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　本发明的课题是提供能存储不合格存储单元的地址数据且是廉价的半导体试验装置、半导体试验方法和半导体装置的制造方法。如果从ALPG对作为试验对象的半导体存储器11、12、…、1n输入测试模式，则从半导体存储器11、12、…、1n对No-Go标记20输入模式。No-Go标记20根据从半导体存储器11、12、…、1n输入的模式，判定半导体存储器11、12、…、1n是否合格。利用对应的列地址对应计数器31、32、…、3n存储由No-Go标记20判定为不合格的半导体存储器内的不合格存储单元的列地址数据。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体试验装置，该半导体试验装置对半导体存储器进行试验，其特征在于，具备：模式发生器，对上述半导体存储器输入测试模式；判定器，利用从上述半导体存储器输出的模式，判定上述半导体存储器是否合格；以及地址计数器，在利用上述判定器进行了不合格的判定的情况下，存储上述半导体存储器内的不合格存储单元的地址数据。

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