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分 类 号：
H01L21/70
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.18 JP 2001－321062
申请(专利权)人：
精工爱普生株式会社
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
神田敦之;芳贺泰
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代 理 人：
余刚
摘要
本发明涉及一种在同一衬底上高效率地形成高压晶体管与低压晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。首先，形成绝缘膜。高压晶体管的漏极-源极形成区上的绝缘膜比低压晶体管的漏极-源极形成区上的绝缘膜厚。随后，在绝缘膜上形成栅极。接着，在低压晶体管的栅极侧面形成侧壁，在各晶体管的漏极-源极形成区的绝缘膜处形成开口部分。在高压晶体管的漏极-源极形成区上的较厚的绝缘膜处形成开口部分时，采用的蚀刻不使低压晶体管的栅极侧面形成的侧壁的宽度变小。然后，通过开口部分导入杂质元素，形成各晶体管的漏极-源极区。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置制造方法，其特征为具备所述半导体装置的漏
极-源极间耐压能力不同的绝缘栅极型高压晶体管与低压晶体
管处于同一半导体衬底，每个晶体管形成于所述衬底的一个元
件形成区内，每个元件形成区包括一个源极区和一个漏极区，
所述制造方法包括以下步骤：
(a)在所述的各元件形成区内形成包括作为栅极绝缘膜
部分的绝缘膜，所述高压晶体管的漏极-源极区上形成的所述
绝缘膜比所述低压晶体管的漏极-源极区上形成的所述绝缘膜
厚；
(b)在所述各晶体管的所述栅极绝缘膜上形成栅极；
(c)至少在所述低压晶体管的所述栅极侧面形成侧壁，
通过蚀刻在所述各晶体管的所述漏极-源极形成区上的所述绝
缘膜部分形成开口部分，其中，在所述高压晶体管的所述漏极
-源极形成区上的较厚的所述绝缘膜处形成开口部分时，所实
施的蚀刻不使所述低压晶体管的所述栅极侧面形成的所述侧
壁的宽度变小；以及
(d)通过所述绝缘膜处形成的开口部分，向所述各晶体
管的所述漏极-源极形成区内导入杂质元素，以形成所述各晶
体管的漏极区和源极区。
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