半导体器件的制造方法<%=id%>

分类号： H01L21/768;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/311
颁证日：
优先权： 2001.10.12 KR 63059/2001
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
发明 (设计)人：郑又硕
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：杨梧;马高平
摘要
　一种半导体器件的制造方法，该方法能形成适用于超高集成度半导体器件的优良接触插塞。该方法包括在硅衬底21上形成绝缘膜29的阶段、在上述绝缘膜内形成接触孔28的阶段、在上述接触孔的侧面形成氮化膜27的阶段、以及在包括上述氮化膜的接触孔内形成选择性导电性插塞31的阶段。
主权项
　权利要求书 1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成绝缘膜的阶段、在上述绝缘膜内形成接触孔的阶段、在上述的接触孔的侧面形成氮化膜的阶段、在包括上述氮化膜的接触孔内选择性形成导电插塞的阶段。

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