具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司
地址：台湾省新竹市
发明 (设计)人：陈福元;徐清祥;金雅琴;杨青松;周秀芬
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：刘朝华
摘要
　一种具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法，至少包含形成垫氧化层于基板上，再形成氮化物于垫氧化层之上；图案化氮化物及垫氧化层，蚀刻基板以形成沟渠于其中；执行离子布植植入离子于沟渠底侧，以利于形成重掺杂沟渠源极线，再回填填充材质于沟渠中；执行化学机械研磨平坦化基板；之后，形成隧穿氧化层于基板上；形成第一导电层于该隧穿氧化层之上；层间介电层形成于第一导电层之上；第二导电层形成于层间介电层之上；定义闸极结构，再分别实施离子布植。以利于形成汲极与源极以及形成环掺杂区域。
主权项
　权利要求书 1、一种具沟渠源极线快闪记忆体，其特征是：它包括沟渠形成于其中的基板；重掺杂沟渠源极线位于该沟渠下侧区域；绝缘材质形成于该沟渠中；第一介电层形成于该基板上；第一导电层堆迭于该第一介电层之上做为悬浮闸极；第二介电层形成于该第一导电层之上；第二导电层形成于该第二介电层之上做为控制闸极。

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