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r> 颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.18 JP 2001－320144
申请(专利权)人：
三洋电机株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
藤原英明
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
沈昭坤
摘要
本发明提供通过减少浮栅与控制的耦合比来增加扩散层与浮栅的耦合比，即使用低的扩散层电压也能够很容易进行高速写入的半导体存储器。该半导体存储器具有浮栅、与浮栅电容耦合并控制浮栅的电位用的第1扩散层、以及与浮栅相对配置的控制栅。而且，在进行删除动作时，从控制栅向浮栅流过隧道电流的方向是与半导体基板的主表面实质上平行的方向。这样，即使控制栅在浮栅的上方没有重叠区，也能够通过从浮栅拉出载流子而流过隧道电流。
主权项
权利要求书
1.一种半导体存储器，其特征在于，
具有浮栅、与所述浮栅电容耦合并控制所述浮栅的电位用的第1扩散层、以
及与所述浮栅相对配置的控制栅，
在进行删除动作时，从所述控制栅向所述浮栅流过隧道电流的方向是与半导
体基板的主表面实质上平行的方向。
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