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B1/04
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.4 JP 308536/2001
申请(专利权)人：
三洋电机株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
浅野哲郎;平井利和;东野太荣;平田耕一
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
杨梧;马高平
摘要
一种化合物半导体装置。该装置为了尽可能的减小插入损失(I ertionLo )采用了加大栅宽度Wg，使FET关电阻减少的设计方法。另外，衬垫与配线层的间隔距离也取20μm以上。在2.4GHz以上的高频带上着眼于省略分路FET确保隔离(Isolation)的设计，到现在为止的FET“开”电阻的减少认为是次要的。亦即，在化合物半导体装置中，开关用FET的栅宽度Wg设定为700μm以下，在其尺寸减少的同时，衬垫及配线层之下设有杂质区域40，并在确保高频信号的耦合和耐压的情况下减少空间，其结果，能大幅减少芯片尺寸。
主权项
权利要求书
1.一种化合物半导体装置，其特征在于，包括有：
化合物半导体基板；
在所述化合物半导体基板上设置的衬垫；
在所述衬垫上配备固定接合的接合线，
直接配置在所述基板上的所述衬垫，在所述衬垫之下的所述基板表面上
设有活性化的杂质区域；
利用所述杂质区域限制所述衬垫下的耗尽层的扩大。
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