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生物通编译：Robert Wood Johnson医学院的科学家发现了关键的记忆基因Rab3A。通过测定电刺激的方法，他们发现这个基因对大脑记忆神经之间进行更为流畅的对话是必需的。海马神经元间的电脉冲活性也发现对短期记忆或长期记忆至关重要。这项研究发表在9月1日《神经科学杂志》上。当细胞带有Rab3A基因时，细胞中的BDNF激素会使相邻神经元的电讯息交流量增加200-300%。缺乏Rab3A基因的细胞，则没有增加。科学家认为这项研究可能有望帮助解开记忆的一些奥秘，例如，从单个神经元水平界定记忆形成的遗传原因，了解健忘和痴呆，帮助我们鉴定病态细胞和健康细胞，最终开启新型的记忆缺陷治疗方法之门。Robert Wood Johnson医学院神经科学和细胞生物学系的主席，主要研究人员Ira Black教授解释道，“这项研究结果允许我们将基因行为与单个记忆细胞精确的电讯息交流功能联系起来，这让我们更好的理解记忆的奥秘。”这份研究的独到之处在于聚焦在单个细胞水平上。Black博士也预期将发现许多记忆必需基因，使对记忆缺陷的治疗将涉及一打或更多关键基因。（版权所有 转载请注明）
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