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美国新泽西医科和牙科大学的一个研究小组说，他们发现了关键的记忆基因ＲＡＢ３Ａ，这个基因使大脑中记忆神经细胞之间的交流更加畅通。研究人员认为，这一基因的发现有助于在单个细胞的水平上了解记忆形成的基因原理。
研究人员在２００１年９月号《神经科学》杂志上发表报告说，记忆神经细胞之间的交流可以用电脉冲测量，而大脑海马区神经细胞之间的电活动对于短期记忆和长期记忆是至关重要的。在有ＲＡＢ３Ａ基因存在的情况下，神经细胞之间交流产生的激素神经营养因子增加了２到３倍，而没有记忆基因的时候激素水平则不发生变化。
研究人员说，影响记忆的基因可能有多个，未来治疗健忘症的药物可能针对其中最关键的十几个基因。
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