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NEC电子开发出55nmDRAM混载技术 2007年下半年量产<%=id%> |
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用于产品，正式进行量产。与原来的90nmDRAM混载工艺技术相比，新技术可提高集成度，同时降低耗电量。
... 新技术采用的是绝缘膜使用ZrO2的MIM(Metal Insulator Metal)电容。这种结构的电容已通过该公司的90nmDRAM混载LSI应用于产品。此次新开发了以下2项技术，通过组合这2项技术可应用于55nm产品。
... 首先开发了层积超薄HfSiO材料和氮氧化膜的栅绝缘膜。在SiON膜的上层形成一层薄薄的HfSiO膜。这样，与90nmDRAM混载技术相比，晶体管的等离子电流可增加约20%，从而实现高速处理。同时，通过利用硅酸铪的特性降低通道部分的杂质浓度来降低漏极和底板之间的漏电流、增强数据保存功能。另外，通道杂质浓度的降低有利于减少晶体管性能的误差，从而使设计高性能的最终产品变得更加容易。
... 第2，开发了NiSi栅电极。组合HfSiO高介电率绝缘膜、NiSi和多晶硅栅电极而开发。可以抑制寄生电阻升高。与采用CoSi2的原技术相比，可快速驱动LSI。
... 关于此次开发的新技术，NEC电子已于2006年11月7日在日本正式发布，在美国已于2006年9月14日发布。
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