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我国微电子和集成电路器件研究取得重大进展 首次在国际上提出一种新型电路模型<%=id%> |
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研究方面取得重大进展，其成果于今年10月在集成电路领域国际最权威的杂志IEEE JSSC（《固态线路》杂志）上以ARTICLE的形式正式发表，论文题目为“Frequency—independent Asymmetric Double—Equivalent Circuit for On—Chip Spiral Inductors：Physics—Based Modeling and Parameter Extraction”（ IEEE JSSC，2006年10月第2272 ~2283页）。
... 据介绍，黄风义教授课题组开展的工作是关于超大规模集成电路，特别是射频集成电路中广泛应用的在片元器件—电感元件的模型研究。这个研究小组首次在国际上提出了一种新型电路模型，可以有效地描述电感元件的非对称性，并提出了一种物理理论，可以定量计算非对称系数。在此基础上，进一步开发了一种全新的电感元件模型参数提取的解析算法。他们开发的特征函数法可以避免传统的数字叠代拟合算法中经常发生的多值解以及不收敛等问题。其创立的模型包含了目前所了解的各种主要寄生效应，结合引入非对称性和解析算法，可以为电感元件提供目前国际上最先进的模型和最高精度的仿真结果。这一成果对电感元件的模型研究和性能优化，以及采用电感元件的射频集成电路的设计都将有重要的意义。
... 据悉，这是我国微电子和集成电路器件模型领域，首次主要作者以国内单位为依托在此杂志发表文章，也是继清华大学2004年在JSSC上发表第一篇论文后，迄今为止中国大陆学者在此杂志上发表的第二篇论文。
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