日立利用GaInNAs实现直接调制方式40Gbps半导体激光器<%=id%>

半导体激光器在活性层中使用了GaInNAs。其特点是波长为1290nm，阀值电流仅4.4mA。能够降低通信设备用40Gbit/秒接口模块的价格，缩小模块尺寸。
... 据日立制作所介绍，目前使用的40Gbit/秒半导体激光器主要采用外部调制方式，但由于整个激光器由激光器主体和外部调制器构成，因此尺寸和耗电量通常都很大。价格也相当于8个10Gbit/秒半导体激光器的价格。
... 而直接调制方式目前存在的问题是最高速度仅为10Gbit/秒，为了达到40Gbit/秒的速度，曾经有过将4个激光器组合起来的做法。但价格随之升高。“客户的要求是将价格控制在2个10Gbit/秒半导体激光器以下的水平”（日立制作所中央研究所 ULSI研究部主任研究员青木雅博）。
... 活性层使用GaInNAs的想法该公司早在1995年就提出来了。此次确立了适合于GaInNAs的结晶成长新技术，由此实现了在40Gbit/秒下稳定工作的目标。具体来说，就是削除了混入GaInNAs中的Al（铝）。过去的GaInNAs半导体激光器在包层中一般使用AlGaAs，所以在GaInNAs活性层中混入AL降低了特性。此次则使用GaInP取代了AlGaAs。并且通过在电流注入部分采用“倒梯形隆起”结构，既提高了速度，又降低了阀值电流。
... 这种激光器的工作温度只有5℃。今后通过实现高温下稳定工作，以及改善结晶质量等措施，力争5～6年后能使40Gbit/秒半导体激光器达到实用水平。对于10Gbit/秒以下的激光器，则有望提前投入实际应用。
... 日立将在2006年8月29日于滋贺县草津市开幕的第67届应用物理学会学术演讲会，9月4日于东京召开的分子束外延国际会议（International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006），以及9月24日在法国戛纳召开的2006年欧洲光通信会议（European Conference on Optical Communication 2006）上分别发表此项成果。
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