日本Ulvac运用MIRAI成果推出相对介电常数为2.1的多孔质low-k材料（图<%=id%>

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受让MIRAI成果流程

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相对介电常数和杨氏系数分别达到2.1和6GPa.
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2006年8月起上市
... 日经BP社2006年8月2日报道. 日本Ulvac公司在受让日本半导体MIRAI计划的技术成果后，即将上市相对介电常数为2.1的多孔质low-k材料。
... 该公司早在2000年就曾发表利用旋镀法形成的多孔质SiO2膜“ISM”。这种材料可自由控制相对介电常数和折射率，但机械强度差，其核心用途是透镜表面保护膜等光学用途。
... 在始于2001年的日本半导体MIRAI计划中，在ISM的基础上针对半导体工艺进行了改进。改变了过去细长空孔有规律地进行排列的膜结构，形成随机排列方式，同时还开发出了利用有机硅化合物（TMCTS）强化空孔内壁的工艺。经过改进后，现已确认即使在350℃的低温条件下进行烧结，也能使杨氏系数维持在6G～8GPa的水平上。该公司宣布，现已成功试制出单层布线，在布线可靠性试验中可实现10年以上的寿命。
... 受让MIRAI的这项成果后，Ulvac决定推出面向32nm工艺的low-k材料。自2006年8月起将分别推出溶液、成膜后的200mm晶圆以及处理设备。2007年1月还将上市成膜后的300mm晶圆。将在该公司裾野工厂装备产量达30L/天的设备，以满足研发领域以及小规模LSI生产的需求。假设32nm工艺low-k膜市场规模为700亿日元，那么该公司希望其销售额能够达到市场规模的30%，即210亿日元。
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