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。该晶体管与静电感应晶体管（SIT：static induction transistor）一样，也采用了将源极、沟道和漏极纵向层叠的纵型构造。从而将沟道宽度减至约0.3μm、晶体管总体宽度减至约1.2μm，实现了小型化。与源极、漏极和沟道横向排列的横型晶体管构造相比，元件面积可减至1/8。由于在源极电极（WSi材料）和沟道层中间设置了基于InAlGaN的连接层，从而降低了导通电阻。虽然连接电阻仅3.5×10-5Ωcm2、漏道宽度仅0.3μm，但将晶体管导通电阻控制在了0.24mΩcm2的水平。
此次的GaN晶体管，对于在大功率驱动时由于表面阱（Trap）的作用而导致的漏极电流低下问题，即对电流崩塌（Collapse）效应起到了抑制作用。横型晶体管构造方面，沟道层*面积较大。因此，通过沟道的电子更容易受到被视为电流崩塌效应原因的表面电荷阱的影响。由于这次采用了纵型晶体管构造，沟道层*在表面的面积减小，从而抑制了电流崩塌效应。松下电器准备在2006年6月26-28日在美国宾夕法尼亚州举行的学会“Device Research Conference（DRC）”上发表此次新开发的GaN晶体管。
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