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12月14日消息，据国外媒体报道，美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布，他们已制造出目前世界最快的晶体管，这种磷化铟与砷化铟镓制造的的新型晶体管速度达845GHz，较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55℃获得的，室温下该晶体管可以运行在765GHz。
除了新型材料外，这种晶体管的制造工艺也更为精良，基部仅有12.5纳米。
伊利诺大学Holonyak教授职位(新浪科技注：1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管，即LED)的Milton Feng指出：“新型晶体管利用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应。”利用新研发的装置，他宣称晶体管已趋近太赫兹(THz，即1000GHz)的“圣杯”。
该校研究生William Snodgrass说：“通过垂直缩小装置，我们减小了电子的运动距离，故晶体管频率更高。且集电器的横截面也有减少，所以晶体管充放电的速度也加快了。”
在本周IEEE国际电子设备会议上，麻省理工学院电气工程和计算机科学教授Jesús del Alamo介绍了砷化铟镓(InGaAs)晶体管技术。流经新晶体管的电流量相当于目前最先进的硅晶体管的2.5倍，更大的电流量是快速运行的关键。
Alam
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