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mo认为，砷化铟镓晶体管技术目前还处于幼年时期，砷化铟镓比硅更容易破损，难以大批量生产。但他预计该技术在10年内将会快速发展，并极大超过硅技术。在未来10年至15年，从尺寸和性能上讲硅晶体管的发展将达到极限。
在今年6月，IBM与佐治亚理工学院成功使一颗芯片运行在500GHz，其时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
硅锗芯片技术已经较为成熟，除IBM外，摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。
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